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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
73
75
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.9
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
75
读取速度,GB/s
3,510.5
14.6
写入速度,GB/s
1,423.3
6.9
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
1556
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
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Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
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