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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
3,510.5
16.7
写入速度,GB/s
1,423.3
12.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
3244
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-2GBRM 2GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBXL 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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