RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
69
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
23
读取速度,GB/s
3,325.1
17.2
写入速度,GB/s
1,441.2
13.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2915
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link