RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
69
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.7
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.5
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
58
读取速度,GB/s
3,325.1
9.7
写入速度,GB/s
1,441.2
7.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2172
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link