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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
69
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
39
读取速度,GB/s
3,325.1
14.3
写入速度,GB/s
1,441.2
10.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2159
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
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