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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
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更快的读取速度,GB/s
17.9
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
30
读取速度,GB/s
10.6
17.9
写入速度,GB/s
6.8
14.4
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
3571
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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