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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
38
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
23
读取速度,GB/s
15.5
17.4
写入速度,GB/s
12.0
13.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3195
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
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