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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
11.9
17.1
写入速度,GB/s
8.1
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3366
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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