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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
11.9
17.6
写入速度,GB/s
8.1
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3336
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
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