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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
11.9
15.8
写入速度,GB/s
8.1
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3081
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
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AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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