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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston 9965640-015.A00G 32GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.9
9.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
45
左右 -32% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
34
读取速度,GB/s
11.9
9.5
写入速度,GB/s
8.1
8.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2354
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
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