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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
11.9
12.6
写入速度,GB/s
8.1
8.8
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2174
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB RAM的比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
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