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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
71
左右 37% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
71
读取速度,GB/s
11.9
15.6
写入速度,GB/s
8.1
6.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
1650
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
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Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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