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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
46
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
22
读取速度,GB/s
12.2
17.2
写入速度,GB/s
7.9
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
3142
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
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