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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
11.8
14.7
写入速度,GB/s
8.0
9.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2776
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
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