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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
11.8
14.3
写入速度,GB/s
8.0
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2699
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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