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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
11.8
16.1
写入速度,GB/s
8.0
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2742
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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