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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.8
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
11.8
10.8
写入速度,GB/s
8.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2416
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
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