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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
47
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
21
读取速度,GB/s
11.8
17.7
写入速度,GB/s
8.0
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3042
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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