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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
44
45
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
44
读取速度,GB/s
12.0
13.0
写入速度,GB/s
7.8
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2069
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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