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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
13.0
16.9
写入速度,GB/s
8.2
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
3236
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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