RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
44
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.6
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
23
读取速度,GB/s
13.0
19.6
写入速度,GB/s
8.2
17.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
4100
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link