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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
44
左右 -5% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
44
42
读取速度,GB/s
13.0
12.2
写入速度,GB/s
8.2
7.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
2063
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
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Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
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