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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
44
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
28
读取速度,GB/s
13.0
14.3
写入速度,GB/s
8.2
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
2361
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Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
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