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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
12.3
15.7
写入速度,GB/s
8.0
10.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3011
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
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