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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston KM0VW4-MID 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Kingston KM0VW4-MID 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KM0VW4-MID 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
12.3
14.7
写入速度,GB/s
8.0
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2493
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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