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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lenovo 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Lenovo 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Lenovo 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
50
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Lenovo 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lenovo 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
50
读取速度,GB/s
12.3
16.4
写入速度,GB/s
8.0
14.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2951
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Lenovo 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
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