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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
45
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
39
读取速度,GB/s
12.3
13.7
写入速度,GB/s
8.0
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2364
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX16 4GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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