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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
48
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
35
读取速度,GB/s
8.9
16.5
写入速度,GB/s
5.9
14.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3534
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
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