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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
48
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
43
读取速度,GB/s
8.9
12.8
写入速度,GB/s
5.9
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3050
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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