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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
48
左右 -20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
40
读取速度,GB/s
8.9
14.8
写入速度,GB/s
5.9
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2786
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
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