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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905625-096.A00G 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
76
左右 37% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
76
读取速度,GB/s
8.9
13.0
写入速度,GB/s
5.9
6.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1621
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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