RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

总分
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

总分
star star star star star
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB 需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 48
    左右 -30% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.4 left arrow 8.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.3 left arrow 5.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    48 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    8.9 left arrow 15.4
  • 写入速度，GB/s
    5.9 left arrow 11.3
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1420 left arrow 2765

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
内存RAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
内存RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
内存RAM
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
内存RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
内存RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
内存RAM