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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
48
左右 -118% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
22
读取速度,GB/s
8.9
18.4
写入速度,GB/s
5.9
14.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
3394
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Kingston 99P5474-034.A00LF 2GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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