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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
48
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
35
读取速度,GB/s
8.9
15.5
写入速度,GB/s
5.9
11.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2848
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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