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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
54
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.9
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
54
读取速度,GB/s
8.9
10.9
写入速度,GB/s
5.9
9.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2176
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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