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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
44
48
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
48
44
读取速度,GB/s
8.9
12.3
写入速度,GB/s
5.9
7.8
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1977
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
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