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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
24
读取速度,GB/s
9.3
20.2
写入速度,GB/s
5.9
18.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
4114
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-065.A00G 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
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