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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
47
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.5
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
32
读取速度,GB/s
9.3
10.5
写入速度,GB/s
5.9
8.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2386
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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