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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
78
左右 40% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
78
读取速度,GB/s
9.3
14.5
写入速度,GB/s
5.9
7.7
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
1602
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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