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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.3
16.4
写入速度,GB/s
9.0
12.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
3046
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
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