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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
41
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
21
读取速度,GB/s
13.3
17.7
写入速度,GB/s
9.0
13.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
3042
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Jinyu 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
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