Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB

SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    21 left arrow 41
    Wokół strony -95% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.7 left arrow 13.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    13.3 left arrow 9.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 12800
    Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    41 left arrow 21
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.3 left arrow 17.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.0 left arrow 13.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2016 left arrow 3042
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania