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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
40
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
33
读取速度,GB/s
12.3
19.6
写入速度,GB/s
8.9
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3374
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
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