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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.6
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
12.3
22.0
写入速度,GB/s
8.9
19.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
4052
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
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