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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
12.3
14.6
写入速度,GB/s
8.9
10.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2432
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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