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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
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更快的读取速度,GB/s
15.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
40
读取速度,GB/s
12.3
15.6
写入速度,GB/s
8.9
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3034
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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