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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
40
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
31
读取速度,GB/s
12.3
17.9
写入速度,GB/s
8.9
15.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3637
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
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SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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