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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
23
读取速度,GB/s
12.3
18.0
写入速度,GB/s
8.9
14.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3327
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
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