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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.3
16.1
写入速度,GB/s
8.9
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3098
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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